湖北兴福电子申请相对于硅选择性去除氮化钽蚀刻液专利

时间：2025-04-24 10:23:21 来源：CBC金属网

内容描述：2025年4月22日消息，国家知识产权局信息显示，湖北兴福电子材料股份有限公司申请一项名为“一种相对于硅选择性去除氮化钽的蚀刻液”的专利。专利摘要显示，该蚀刻液不仅提供了一种能高效去除氮化钽薄膜的方法，还能对基底硅材料保持极高的选择性和优异的表面平整度。

2025年4月22日消息，国家知识产权局信息显示，湖北兴福电子材料股份有限公司申请一项名为“一种相对于硅选择性去除氮化钽的蚀刻液”的专利，公开号CN119842404A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本发明一种相对于硅选择性去除氮化钽的蚀刻液。所述组合物包括按照质量分数计的以下组分：1‑5％氟离子源；20‑50％氧化剂；1‑5％有机酸；0.01‑1％硅抑制剂；0.01‑1％流平剂；0.01‑1％表面活性剂；余量为高纯水。该蚀刻液不仅提供了一种能高效去除氮化钽薄膜的方法，还能对基底硅材料保持极高的选择性和优异的表面平整度。

标签：

硅材料钽氮化钽

凡网站注明来源于CBC金属网的文章、图片、报告等原创作品，为非公开资料，仅供会员使用。未经本网许可，任何人不得转载或以其他方式使用本网站的原创内容。如需使用，请致电15333612035申请授权。CBC金属网保留对任何侵权行为和有悖原意的引用行为进行追究的权利。

免责声明：CBC金属网致力于打造全面权威的金属信息平台，努力为金属行业研究及从业者，提供全方位的数据信息服务和决策支持。但本网站信息仅供参考，不作为投资者决策的直接建议，任何依据网站信息进行的投资、买卖、运营等行为所产生的风险应自行承担，与CBC金属网无关。