芜湖映日科技申请太阳能电池用高迁移率低接触电阻靶材及薄膜制备方法专利

时间：2025-04-17 14:43:16 来源：CBC金属网

内容描述：2025年4月16日消息，国家知识产权局信息显示，芜湖映日科技股份有限公司申请一项名为“太阳能电池用高迁移率低接触电阻靶材及薄膜制备方法”的专利，公开号CN 119822789 A，申请日期为2025年1月。

2025年4月16日消息，国家知识产权局信息显示，芜湖映日科技股份有限公司申请一项名为“太阳能电池用高迁移率低接触电阻靶材及薄膜制备方法”的专利，公开号CN 119822789 A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本发明涉及靶材技术领域，提供一种太阳能电池用高迁移率低接触电阻靶材及薄膜制备方法，通过使用纳米级金属粉末Ag、Cu、A l中的一到两种金属氧化物，与宽带隙元素Ti、Ga、Zn中的一到两种金属氧化物，与高价元素Zr、W、Mo中的一到两种金属氧化物，与高纯度氧化铟进行不同比例的复合掺杂，在获得高密度靶材的基础上，优化PVD薄膜制备工艺，获得太阳能电池窗口层用高迁移率、低接触电阻的金属氧化物薄膜。

标签：

太阳能电池氧化铟电阻

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