2025年3月22日消息，国家知识产权局信息显示，杭州大和热磁电子有限公司申请一项名为“种半导体制冷片焊接结构及方法”的专利。专利摘要显示，本发明公开了一种半导体制冷片焊接结构及方法，旨在解决半导体制冷片组装焊锡容易从侧边溢出并接触到碲化铋材料，导致热电半导体颗粒性能衰减的不足。
杭州大和申请半导体制冷片焊接结构及方法专利
时间：2025-03-27 09:53:05
来源：CBC金属网
内容描述：2025年3月22日消息，国家知识产权局信息显示，杭州大和热磁电子有限公司申请一项名为“种半导体制冷片焊接结构及方法”的专利。专利摘要显示，本发明公开了一种半导体制冷片焊接结构及方法，旨在解决半导体制冷片组装焊锡容易从侧边溢出并接触到碲化铋材料，导致热电半导体颗粒性能衰减的不足。
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