捷捷微电2月7日在互动平台表示，公司与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，截至目前，公司拥有氮化镓和碳化硅相关发明专利5件和实用新型专利5件，此外，公司还有9个发明专利和2个实用新型专利尚在申请受理中。公司目前有少量碳化硅器件的封测，该系列产品仍在持续研究推进过程中，尚未进入量产阶段。
捷捷微电：目前有少量碳化硅器件的封测，尚未进入量产阶段
时间：2025-02-07 18:00:35
来源：CBC金属网
内容描述：捷捷微电2月7日在互动平台表示，公司与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，截至目前，公司拥有氮化镓和碳化硅相关发明专利5件和实用新型专利5件，此外，公司还有9个发明专利和2个实用新型专利尚在申请受理中。公司目前有少量碳化硅器件的封测，该系列产品仍在持续研究推进过程中，尚未进入量产阶段。
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