2025年1月14日消息,国家知识产权局信息显示,云南贵金属实验室有限公司申请一项名为“一种高纯超低氧含量钌钽合金靶材及其制备方法”的专利。
专利摘要显示,本发明公开了一种高纯超低氧含量钌钽合金靶材及其制备方法,属于磁控溅射合金靶材技术领域。本发明包括(1)混粉;(2)低压预压制;(3)高真空煅烧;(4)热等静压烧结;(5)打磨抛光。通过本发明制备方法制备得到纯度≥99.995%、氧含量≤20ppm的钌钽合金靶材,使得钌钽合金靶材作为扩散阻挡层材料使用时,具备较低电阻,同时阻挡性能较为优异,从而提高扩散阻挡层薄膜性能。