珠海：重点发展8英寸、12英寸硅片等新一代化合物半导体衬底材料及外延片

时间：2025-01-11 17:31:13 来源：CBC金属网

内容描述：2025年1月7日讯：珠海市工业和信息化局公开征求《珠海市电子化学品产业发展三年行动方案(2025—2027年)(征求意见稿)》意见。其中提到，重点发展8英寸、12英寸硅片，碳化硅、氮化镓、磷化铟等新一代化合物半导体衬底材料及外延片；前瞻布局氧化镓、锑化镓、锑化铟等第四代半导体材料。同时，重点发展匀胶铬版光掩模版，KrF、ArF移项光掩模版，前瞻布局深紫外光(DUV)掩膜版。

2025年1月7日讯：珠海市工业和信息化局公开征求《珠海市电子化学品产业发展三年行动方案(2025—2027年)(征求意见稿)》意见。其中提到，重点发展8英寸、12英寸硅片，碳化硅、氮化镓、磷化铟等新一代化合物半导体衬底材料及外延片；前瞻布局氧化镓、锑化镓、锑化铟等第四代半导体材料。同时，重点发展匀胶铬版光掩模版，KrF、ArF移项光掩模版，前瞻布局深紫外光(DUV)掩膜版。

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硅镓铟锑铬碳化硅磷

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