道氏技术12月11日公告，公司与电子科技大学签署了《项目技术委托开发合同》，委托后者进行超薄金属锂负极的研发。此次合作旨在开发单面/双面锂覆铜超薄锂负极带材和自支撑超薄锂负极带材，合作期限为2024年12月2日至2027年12月1日。
本次合作将由电子科技大学李晶泽教授团队负责实施。该团队自1997年起从事锂离子电池材料与器件研究，在高温熔融法制备新型金属锂负极材料方面具有鲜明的研究特色。研究将聚焦于利用高温熔融金属锂与金属集流体之间的相互作用，通过熔融液体流延方法实现锂负极的超薄化制备，并借助原位合金化反应形成微纳网络结构，以克服传统纯金属锂负极的缺点。
道氏技术表示，固态电池兼具安全性和高能量密度，是未来大容量锂电池的重要发展方向。金属锂是全固态电池最理想的负极材料，但在商业化应用过程中面临诸如活性层厚度小于20μm超薄锂负极难于量产制备、超薄金属锂的制备成本高等难点。本次研发合作旨在开发低成本、卷对卷的新型量产制备工艺，实现超薄锂负极活性层最大厚度不超过20μm，生产成本远低于传统的机械辊压法。
根据合同，道氏技术将向电子科技大学支付总额为300万元人民币的研发费用。研发成果及相关知识产权将在道氏技术履行付款义务后归公司所有，但电子科技大学保留为教学和科研目的无偿使用的权利。
道氏技术认为，此次合作将有助于提升公司的研发能力和未来盈利能力，增强公司的整体竞争实力和市场优势，符合公司的长期发展战略。
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