2024年11月15日消息，国家知识产权局信息显示，武汉邮电科学研究院有限公司申请一项名为“种基于锑化铋薄膜的高响应紫外探测器及其制备方法”的专利。
专利摘要显示，本申请涉及一种基于锑化铋薄膜的高响应紫外探测器及其制备方法，其包括衬底、锑化铋薄膜和驱动电极；锑化铋薄膜位于所述衬底上，驱动电极位于所述锑化铋薄膜上。本申请证明了锑化铋材料可以应用于紫外成像技术，并且具有响应速度快，探测率高的优点，可覆盖大部分日盲光区域。
武汉邮电科学研究院申请基于锑化铋薄膜的高响应紫外探测器及制备方法专利
时间：2024-11-19 10:49:43
来源：CBC金属网
内容描述：2024年11月15日消息，国家知识产权局信息显示，武汉邮电科学研究院有限公司申请一项名为“种基于锑化铋薄膜的高响应紫外探测器及其制备方法”的专利。专利摘要显示，本申请涉及一种基于锑化铋薄膜的高响应紫外探测器及其制备方法，其包括衬底、锑化铋薄膜和驱动电极；锑化铋薄膜位于所述衬底上，驱动电极位于所述锑化铋薄膜上。
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