SK启方半导体逐步加大GaN的开发力度，力争在2024年内完成开发工作

时间：2024-06-20 16:15:05 来源：CBC金属网

内容描述：2024年6月19日，韩国8英寸晶圆代工厂SK启方半导体6月20日宣布，已确保新一代功率半导体GaN（氮化镓）的关键器件特性。公司正在加大GaN的开发力度，力争在年内完成开发工作。SK启方半导体持续关注着GaN功率半导体的市场和潜力。为此，公司于2022年成立了一个专职团队来推动GaN工艺的开发。日前，公司已得到650V-GaN-HEMT的新器件特性，并计划在今年年底完成开发工作。

2024年6月19日，韩国8英寸晶圆代工厂SK启方半导体（SK-keyfoundry）6月20日宣布，已确保新一代功率半导体GaN（氮化镓）的关键器件特性。公司正在加大GaN的开发力度，力争在年内完成开发工作。SK启方半导体持续关注着GaN功率半导体的市场和潜力。为此，公司于2022年成立了一个专职团队来推动GaN工艺的开发。日前，公司已得到650V-GaN-HEMT的新器件特性，并计划在今年年底完成开发工作。

由于650V-GaN-HEMT具有较高的功率效率，因此与硅基产品相比，可以降低散热器的成本。也正因如此，与硅基产品相比，终端客户系统的价格差异较小。该公司预计，硅基650V产品将为快速充电适配器、LED照明、数据中心和ESS以及太阳能微型逆变器等市场的无晶圆厂客户带来开发优质产品的优势。除了争取新客户外，SK启方半导体还计划积极向对650V-GaN-HEMT技术感兴趣的现有功率半导体工艺客户推广该技术。

GaN具有高速开关、低导通电阻等特性，与硅基半导体相比，具备低损耗、高效率和小型化的优越特性，因此被称为新一代功率半导体。据市场调研公司OMDIA预测，GaN功率半导体市场将以33%的复合年增长率增长，从2023年的5亿美元增至2032年的64亿美元，主要用于电源、混合动力、电动汽车以及太阳能逆变器。

SK启方半导体表示，公司计划以650V-GaN-HEMT为基础，打造GaN产品组合，可为GaN-HEMT和GaN-IC提供多种电压支持。

SK启方半导体首席执行官Derek-D.Lee表示："除了具有竞争力的高压BCD外，我们还在为下一代功率半导体做准备。我们还将扩大功率半导体产品组合，未来除GaN以外，还将开发SiC（碳化硅），以确立我们作为专业功率半导体代工厂的地位。"

标签：

硅碳化硅镓氮化镓韩国

凡网站注明来源于CBC金属网的文章、图片、报告等原创作品，为非公开资料，仅供会员使用。未经本网许可，任何人不得转载或以其他方式使用本网站的原创内容。如需使用，请致电15333612035申请授权。CBC金属网保留对任何侵权行为和有悖原意的引用行为进行追究的权利。

免责声明：CBC金属网致力于打造全面权威的金属信息平台，努力为金属行业研究及从业者，提供全方位的数据信息服务和决策支持。但本网站信息仅供参考，不作为投资者决策的直接建议，任何依据网站信息进行的投资、买卖、运营等行为所产生的风险应自行承担，与CBC金属网无关。