6月14日消息，日前，在圣何塞举行的三星晶圆代工论坛上，三星更新了其半导体工艺路线图，目标是在2027年实现第四代2nm芯片的大规模生产，并在2025年量产升级版4nm硅芯片。据了解，三星的2nm工艺路线涵盖了多个技术节点，首推SF2，随后将依次推出SF2P、SF2X、SF2Z、SF2A。第一代2nm工艺SF2将于2025年开始，升级版SF2P将于2026年准备就绪。
第四代SF2Z工艺节点将于2027年投入量产，将采用先进的背面供电网络（BSPDN）技术，以提高能效并降低温度。此外，新的SF4U工艺被称为高价值4nm变体，利用“光学收缩”技术提高了功率、性能和面积，计划于2025年实现量产。
三星晶圆代工业务总裁Choi-Si-young表示，在围绕AI的众多技术不断发展的今天，高性能、低功耗半导体至关重要。他提到，三星计划引入集成化、共封装光学技术，以实现高速、低功耗数据处理。
三星还指出，其全环绕栅极（GAA）晶体管架构在性能和良率方面正日趋成熟。1.4nm工艺（SF1.4）的准备工作“进展顺利，性能和良率目标均已如期实现”，并补充说，公司正在通过材料和结构创新“积极塑造”未来低于1.4nm的工艺技术。
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