华东理工大学获悉,该校清洁能源材料与器件团队自主研发了一种钙钛矿单晶晶片通用生长技术,将晶体生长周期由7天缩短至1.5天,实现了30余种金属卤化物钙钛矿半导体的低温、快速、可控制备,为新一代高性能光电子器件提供了丰富的材料库。相关成果发表于国际学术期刊《自然·通讯》。
“该单晶晶片生长技术具有普适性,可以实现30余种厘米级单晶晶片的低温、快速、高通量生长”。该成果的主要完成人、华东理工大学侯宇教授介绍,例如,在70摄氏度下,甲胺铅碘单晶晶片的生长速度可达到8微米/分钟,在一个结晶周期内单晶晶片尺寸可达2厘米。
此外,团队组装了高性能单晶晶片辐射探测器件,实现大面积复杂物体的自供电成像,避免了高工作电压的限制,大大降低辐射强度。以胸透成像为例,基于高质量晶片的器件比常规医疗诊断所需的辐射强度低100倍。