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三星:公司申请半导体器件及其制造方法专利

时间:2024-03-15 15:01:52 来源:CBC金属网

内容描述:2024年3月15日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件及其制造方法”,公开号CN117715414A,申请日期为2023年9月。专利摘要显示,一种半导体器件可以包括有源图案、电连接到有源图案的电容器接触结构以及电连接到电容器接触结构的电容器结构。

2024年3月15日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件及其制造方法”,公开号CN117715414A,申请日期为2023年9月。专利摘要显示,一种半导体器件可以包括有源图案、电连接到有源图案的电容器接触结构以及电连接到电容器接触结构的电容器结构。电容器结构可以包括彼此相邻的第一下电极和第二下电极、支撑第一下电极和第二下电极的支撑件、覆盖第一下电极和第二下电极的电容器绝缘层、以及在电容器绝缘层上的上电极。支撑件可以包括连接到第一下电极和第二下电极的第一支撑件弯曲侧壁,上电极可以包括由支撑件包围的中间电极部分。第一支撑件弯曲侧壁可以朝向中间电极部分凸出。

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