2024年3月12日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”，公开号CN117693193A，申请日期为2022年9月。专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括：基底；基底上形成有多个间隔排布的电容接触结构；隔离结构；隔离结构位于基底上，且位于相邻电容接触结构之间；隔离结构的顶面不高于电容接触结构的顶面；隔离凹槽；隔离凹槽由隔离结构顶面延伸至隔离结构内，且隔离凹槽与电容接触结构之间具有间距。该半导体结构通过设置由隔离结构顶面延伸至隔离结构内的隔离凹槽，避免由于电容接触材料被氧化后残留在相邻电容接触结构之间而导致相邻电容接触结构相互干扰，造成短路的问题。后续在此之上形成的电容也不会相互干扰，因此，能够提升电容的生产良率及使用可靠性，从而提升半导体结构的生产良率及电学性能。
长鑫存储：申请半导体结构及其制备方法专利
时间：2024-03-13 16:34:55
来源：CBC金属网
内容描述：2024年3月12日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”，公开号CN117693193A，申请日期为2022年9月。专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括：基底；基底上形成有多个间隔排布的电容接触结构；隔离结构；隔离结构位于基底上，且位于相邻电容接触结构之间；隔离结构的顶面不高于电容接触结构的顶面。
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