2024年3月1日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构”的专利，公开号CN117637862A，申请日期为2022年8月。专利摘要显示，本公开实施例涉及一种半导体结构，包括：有源层，包括沟道区；第一介质层，覆盖沟道区的有源层顶面；栅极层，覆盖于第一介质层顶面，有源层、第一介质层以及栅极层构成第一电容器，第一电容器用于耦接于第一电位与第二电位之间；两组第一导电层，两组第一导电层中，每一第一导电层彼此电连接；两组第二导电层，每一第二导电层包覆第一导电层的侧面以及底面，一组第二导电层用于电连接至第三电位，另一组第二导电层用于电连接至第四电位；两组第二介质层，位于第一导电层与第二导电层之间，两组第一导电层、第二导电层以及第二介质层共同构成第二电容器，第一电容器与第二电容器堆叠设置。
长鑫存储：申请半导体结构专利，该专利技术能实现电容器的堆叠设置
时间：2024-03-05 11:38:37
来源：CBC金属网
内容描述：2024年3月1日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构”的专利，公开号CN117637862A，申请日期为2022年8月。专利摘要显示，本公开实施例涉及一种半导体结构，包括：有源层，包括沟道区；第一介质层，覆盖沟道区的有源层顶面；栅极层，覆盖于第一介质层顶面，有源层、第一介质层以及栅极层构成第一电容器，第一电容器用于耦接于第一电位与第二电位之间。
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