2024年2月19日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“一种半导体组件及其操作方法、半导体结构”，公开号CN117558742A，申请日期为2022年8月。专利摘要显示，本公开实施例提供了一种半导体组件，包括：衬底；位于衬底上方的有源柱阵列结构，有源柱阵列结构包括沿第二方向和第三方向阵列排布的多个有源柱，每一有源柱沿第一方向延伸，第一方向平行于衬底平面，第二方向平行于衬底平面且与第一方向垂直，第三方向垂直于衬底平面，其中，有源柱包括沿第二方向依次堆叠的第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层；多条第一字线和多条第二字线，第一字线和第二字线沿第三方向延伸，在所述第三方向排布的每一有源柱对应一条第一字线和第二字线，每条第一字线覆盖与其对应的有源柱中的第一半导体层，每条第二字线覆盖与其对应的有源柱中的第三半导体层。
长鑫存储：申请半导体组件专利，提供一种新型的半导体组件
时间：2024-02-21 11:25:05
来源：CBC金属网
内容描述：2024年2月19日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“一种半导体组件及其操作方法、半导体结构”，公开号CN117558742A，申请日期为2022年8月。专利摘要显示，本公开实施例提供了一种半导体组件，包括：衬底；位于衬底上方的有源柱阵列结构，有源柱阵列结构包括沿第二方向和第三方向阵列排布的多个有源柱，每一有源柱沿第一方向延伸。
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