2024年1月19日消息,据国家知识产权局公告,天合光能股份有限公司申请一项名为“太阳能电池及其制备方法“,公开号CN117423753A,申请日期为2023年10月。
专利摘要显示,本申请涉及光电技术领域,特别是涉及一种太阳能电池及其制备方法,以提高该太阳能电池的钝化性能。一种太阳能电池,包括:N型硅基底,设置于所述N型硅基底表面的P型发射极,以及钝化层;所述钝化层包括:设置于所述P型发射极远离所述N型硅基底一侧的氮化硅层,所述氮化硅层中固定负电荷密度大于1×10。
内容描述:2024年1月19日消息,据国家知识产权局公告,天合光能股份有限公司申请一项名为“太阳能电池及其制备方法“,公开号CN117423753A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示,本申请涉及光电技术领域,特别是涉及一种太阳能电池及其制备方法,以提高该太阳能电池的钝化性能。
2024年1月19日消息,据国家知识产权局公告,天合光能股份有限公司申请一项名为“太阳能电池及其制备方法“,公开号CN117423753A,申请日期为2023年10月。
专利摘要显示,本申请涉及光电技术领域,特别是涉及一种太阳能电池及其制备方法,以提高该太阳能电池的钝化性能。一种太阳能电池,包括:N型硅基底,设置于所述N型硅基底表面的P型发射极,以及钝化层;所述钝化层包括:设置于所述P型发射极远离所述N型硅基底一侧的氮化硅层,所述氮化硅层中固定负电荷密度大于1×10。
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