2023年12月30日消息,据国家知识产权局公告,天合光能股份有限公司申请一项名为“太阳能电池及其制备方法“,公开号CN117317052A,申请日期为2023年10月。
专利摘要显示,本申请涉及一种太阳能电池,包括硅基底、p+掺杂层、n+掺杂层、正面电极、背面电极以及连接层。p+掺杂层设置在硅基底的正面。n+掺杂层设置在硅基底的背面。正面电极设置在p+掺杂层远离的硅基底的一侧。背面电极连接在n+掺杂层上。连接层的长度小于p+掺杂层的长度,连接层包括n+掺杂连接层和隧穿氧化连接层,隧穿氧化连接层设置在n+掺杂连接层靠近p+掺杂层的一侧,正面电极与n+掺杂层连接。n+掺杂连接层极易与正面电极形成良好的接触,从而使得两者之间保持较小的接触电阻,隧穿氧化连接层的隧穿能力能够降低p+掺杂层与n+掺杂连接层之间的PN复合,从而在正面电极具有良好接触的基础上进一步保证电池的性能。