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武汉光迅科技申请“光电二极管及其制造方法”专利

时间:2023-12-29 11:47:33 来源:CBC金属网

内容描述:2023年12月26日消息,据国家知识产权局公告,武汉光迅科技股份有限公司申请一项名为“光电二极管及其制造方法”,公开号CN117293214A,申请日期为2022年6月。专利摘要显示,本发明实施例提供光电二极管及其制造方法。所述光电二极管包括:衬底;N型电极接触层,位于所述衬底的第一表面上;吸收层、帽层依次层叠于所述衬底上的第二表面上。

2023年12月26日消息,据国家知识产权局公告,武汉光迅科技股份有限公司申请一项名为“光电二极管及其制造方法”,公开号CN117293214A,申请日期为2022年6月。

专利摘要显示,本发明实施例提供光电二极管及其制造方法,所述光电二极管包括:衬底;N型电极接触层,位于所述衬底的第一表面上;吸收层、帽层依次层叠于所述衬底上的第二表面上;所述第一表面和所述第二表面互为相反面;第一扩散区和第二扩散区,均位于所述帽层中;第一半导体接触层和第一P型电极接触层,均部分覆盖所述第一扩散区的表面;第一P型电极接触层包覆所述第一半导体接触层;第二半导体接触层和第二P型电极接触层,均部分覆盖所述第二扩散区的表面;第二P型电极接触层包覆所述第二半导体接触层;扩散阻挡层,位于所述帽层上,与第一P型电极接触层一起未完全覆盖所述第一扩散区表面,与所述第二P型电极接触层一起完全覆盖所述第二扩散区表面。

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