2023年12月2日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体测试方法及测试结构”,授权公告号CN116540048B,申请日期为2023年3月。
专利摘要显示,本公开提供一种半导体测试方法及测试结构,该方法通过检测第一字线结构和第二字线结构连接前后流经第二源漏区的电流,通过两次测量的电流值和相对应的电压值即可得到第二源漏区的电阻值,该方法简单易实现,且不受半导体结构的影响。
内容描述:2023年12月2日,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体测试方法及测试结构”,授权公告号CN116540048B,申请日期为2023年3月。专利摘要显示,本公开提供一种半导体测试方法及测试结构,该方法通过检测第一字线结构和第二字线结构连接前后流经第二源漏区的电流,通过两次测量的电流值和相对应的电压值即可得到第二源漏区的电阻值,该方法简单易实现,且不受半导体结构的影响。
2023年12月2日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体测试方法及测试结构”,授权公告号CN116540048B,申请日期为2023年3月。
专利摘要显示,本公开提供一种半导体测试方法及测试结构,该方法通过检测第一字线结构和第二字线结构连接前后流经第二源漏区的电流,通过两次测量的电流值和相对应的电压值即可得到第二源漏区的电阻值,该方法简单易实现,且不受半导体结构的影响。
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