三星加速布局碳化硅业务，传已启动8英寸碳化硅衬底产线工艺研发

据韩媒报道，三星电子正在加速进军下一代功率半导体市场，在组建与SiC和GaN器件开发相关的功率半导体TF后，目前正积极投资研发和原型生产所需的设施。

报道称，三星电子正试图引进更先进的8英寸碳化硅工艺设备。据了解，迄今为止完成的投资约在1000亿至2000亿韩元（6-12亿人民币）之间。投资规模足以实现原型的量产，而不仅仅是简单的工艺开发。

SiC和GaN被认为是下一代功率半导体材料。与传统的硅相比，它具有出色的耐高温和高电压耐久性和功率效率。尤其是SiC的耐久性好，以电动汽车为代表的汽车市场对它的需求不断增加。由于开关速度快，GaN被评价为更适合高频环境下的无线通信。

报道显示，除了三星电子DS部门内的主要部门外，LED业务团队和三星高级技术研究所也参与了前述TF。TF的具体目标是开发8英寸SiC、GaN工艺。

一位知情人士表示，“我了解到三星电子决定推动一项计划，将用于SiC和GaN开发的LED工艺中使用的部分8英寸设备混合使用，以提高开发效率。”

报道还透露，三星电子内部对下一代功率半导体业务抱有相当大的热情。一位业内人士暗示说：“随着 Gyeong Kyung-hyeon总裁负责DS部门，功率半导体业务正在蓄势待发。”