内容描述：三星电子位于韩国平泽地区的P3工厂今年开始生产高精端的NAND闪存芯片，这是三星电子最大的芯片生产工厂。据一位未具名的业内消息人士透露，三星计划让P3工厂扩增DRAM生产设备，增加12英寸晶圆的产能。预计到明年，P3工厂每月可生产7万片12寸晶圆，高于目前DRAM产线的每月2万片产能。截至今年第三季度，三星电子的整体DRAM晶圆月产量为66.5万片。
三星电子位于韩国平泽地区的P3工厂今年开始生产高精端的NAND闪存芯片，这是三星电子最大的芯片生产工厂。
据一位未具名的业内消息人士透露，三星计划让P3工厂扩增DRAM生产设备，增加12英寸晶圆的产能。
预计到明年，P3工厂每月可生产7万片12寸晶圆，高于目前DRAM产线的每月2万片产能。截至今年第三季度，三星电子的整体DRAM晶圆月产量为66.5万片。
知情人士还指出，该公司将增加4纳米芯片产能，这些芯片将根据代工合同生产。
此外，三星计划明年增加至少10台最先进的极紫外线（EUV）光刻设备，用于生产尖端DRAM芯片。
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