内容描述：10月18日消息，研究机构Yole Developpement日前预测，磷化铟（InP）器件应用领域正从传统的数据通信和电信市场向C端消费市场扩展，预计到2027年下游应用规模将达到约56亿美元。据悉，磷化铟是磷和铟的化合物，磷化铟作为半导体材料具有优良特性。使用磷化铟衬底制造的半导体器件，具备饱和电子漂移速度高、导热性好、禁带宽度较高等特性，因此磷化铟衬底可被广泛应用于传感器件、高端射频器件等。
10月18日消息，研究机构Yole Developpement日前预测，磷化铟（InP）器件应用领域正从传统的数据通信和电信市场向C端消费市场扩展，预计到2027年下游应用规模将达到约56亿美元。
据悉，磷化铟是磷和铟的化合物，磷化铟作为半导体材料具有优良特性。使用磷化铟衬底制造的半导体器件，具备饱和电子漂移速度高、发光波长适宜光纤低损通信、抗辐射能力强、导热性好、光电转换效率高、禁带宽度较高等特性，因此磷化铟衬底可被广泛应用于制造光模块器件、传感器件、高端射频器件等。
Yole预计，数据通讯和电信仍然将是磷化铟最大应用领域，骨干网全光化和数据中心内的400G/800G光模块等对磷化铟激光器件带来持续需求，但消费电子领域应用增速更快。
根据Semiconductor Today预测，全球磷化铟应用市场规模将从2018年的0.77亿美元，提高到2024的1.7亿美元，CAGR为14%。其中数通光模块在IDC高速增长下市场规模增量有望升级，从2018年0.22亿美元、占比29%，未来预期增长至2024年0.96亿美元、占比56%。
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