总投资10亿元 成都高投芯未高端功率半导体项目开工

8月8日上午，成都高新西区高投芯未高端功率半导体器件及模组研发生产项目现场，一台台大型机械设备整齐排列、蓄势待发。随着开工号令的宣布，现场机器轰鸣、铁臂挥动，项目建设正式启动。

据悉，高端功率半导体器件及模组研发生产项目总投资约10亿元，建成投产后将为功率半导体设计企业提供IGBT特色授权委托加工服务，包括IGBT芯片、模组及方案组建产品等，实现年营收9亿元，助力成都电子信息产业建圈强链和先进制造业高质量发展，加快构建竞争优势突出的现代产业体系。

一期将建设两条产线

高端功率半导体器件及组件研发生产项目占地30亩，计划分两期建设。其中，一期将建设一条8英寸超薄IGBT(绝缘栅双极型晶体管)特色背面晶圆线，一条高端功率半导体集成封装生产线，计划今年年底完成厂房封顶。

“一期项目建成后，将形成年产120万只功率半导体模块制造能力，10万套集成组件生产能力。”成都高投芯未半导体有限公司执行董事兼总经理介绍，按照计划，明年6月将完成包括洁净厂房在内的所有装修工作，具备设备搬迁的条件。此外，明年第三季度封装产线进入联调阶段，第四季度投入试生产，到2024年第一季度，IGBT背面超薄晶圆特色工艺平台也将投入使用，并将于2025年择机启动二期扩产建设。

总经理表示，通过项目一期和二期建设，芯未半导体公司将进一步丰富完善基于自主创新技术的生产工艺平台，整体技术水平进入行业前列。

重点片区开展项目集群攻坚

从拿地到动工，高端功率半导体器件及组件研发生产项目用时不到5个工作日，全面刷新了拿地建设时间纪录。这背后，是成都高新区把全面优化营商环境作为高质量发展的重中之重。

为全面提升工程建设项目审批效能，成都高新西区发展建设指挥部有效整合规划、国土、建设等行政审批职能，联动不动产登记中心，锚定高效率促建目标，创新流程同步推进项目建设全流程审批。同时，组建起“指挥部领导挂点服务+部门召集人两进服务+工作人员包干服务”三级协同管家团，变部门“坐等”审批为主动“靠前”服务，变“串联办”为“并联办”，最大限度优化、简化、整合审批流程和审批环节，确保项目落地不断加速。

“我们将以智能制造驱动传统工业园区转型为公园城市现代化产业新城，以建圈强链做强电子信息产业集群增强核心竞争力全球影响力的实施路径，瞄准打造‘集成电路+新型显示’世界级电子信息产业集群，开展项目集群大会战。”成都高新西区发展建设指挥部副指挥长介绍。