4英寸磷化铟项目年底建成！云南锗业获新进展

28日云南锗业在投资者互动平台表示，其4英寸磷化铟单晶及晶片产业化建设项目(三期)正在建设过程中，预计年底完成项目建设。

公司砷化镓于2012年起实施，已建成80万片/年(2-4英寸)砷化镓晶片生产线并投产，目前正在向低位错、半绝缘级产品转型；公司磷化铟于2015年起实施，已批量生产，目前具备2-4英寸10万片/年的产能。

此前，云南锗业曾表示公司磷化铟项目设备已经就位，项目建设完成后，其子公司鑫耀半导体将具备15万片/年磷化铟单晶片的产能。

磷化铟属于化合物半导体材料，主要用于生产光通信用激光器和探测器。有着电子器件极限漂移速率高、耐辐射源特性好、传热好的优势，与砷化镓半导体材料对比，它有着穿透电场、导热系数、电子器件平均速度均高的特性。

磷化铟半导体材料有着宽禁带构造，而且电子器件在磷化铟原材料时速度比较快，这代表用这样的原材料生产的元器件可以扩大更高频或更短光波长的讯号。

使用磷化铟芯片制造的信号接收器和放大器可以运行在一百GHz之上的极高频,而且有很宽的带宽，受影响较小，可靠性很高。

现阶段，光纤通信元器件关键选用磷化铟基原材料，数码率很高、光波长单色性非常好的磷化铟基激光器、调制解调器、探测仪以及控制模块已广泛运用于光互联网，进而推进互联网数据讯息传送量的不断发展。