【行业新闻】
数值分析表明，在1.95微米波长下，载流子注入锗波导器件中给定光衰减的驱动电流可以比硅器件中的驱动电流小大约5倍，使得基于自由载流子吸收的同轴载流子注入锗光调制器成为可能。我们通过晶片键合制备了具有2微米厚的掩埋氧化物层(BOX)的GeOI晶片。利用锗晶片制作了锗脊波导。锗肋波导对2个微米波长是透明的，传播损耗为1.4分贝/毫米，这可能是由侧壁散射引起的。
12月10日，由南华大学与锐科激光等单位联合研制、我国首台最大功率10万瓦工业光纤激光器，在湖南衡阳启动满功率出光检验。经现场出光测试，其工作情况稳定，可正式投入使用。该设备可用于核设施管道焊接、放射环境下核设施退役拆除、核污染元器件表面去污、高放废液玻璃固化等高端应用。据悉，这也是全球第二大功率的工业激光器。
【企业新闻】
12月15日，科创板受理桂林光隆科技集团股份有限公司（简称“光隆科技”）IPO申请。本次IPO，光隆科技拟募资7.53亿元，分别用于用于光芯片半导体全制程工艺产业建设项目、子系统与光学器件生产建设项目及补充流动资金项目。
Omdia：半导体市场单季收入已超过1500亿美元，三星电子重回榜首
IT之家 12 月 15 日消息，Omdia 发布报告称，2021 年第三季度的半导体收入比第二季度增长了 7.6%，攀升至 1500 亿美元（约 9555 亿元人民币）以上。Omdia 表示，第三季度，记忆体市场推动半导体市场稳步增长的同时也导致了半导体行业营收前十排名的重新洗牌，三星电子凭借其记忆体业务的优势超过了英特尔，夺得了本季度排名的首位。
中广核技回答表示，公司投资的医用放射性同位素项目主要是生产锗[68Ge＞、碘[123I＞，并基于锗[68Ge＞生产医用锗镓发生器，用于临床诊断或治疗等，不同的同位素其用途有所不同。同位素项目进展详情可查阅公司近期在互动易平台的相关答复。
英特尔官网消息，英特尔研究院近期成立了英特尔®面向数据中心互连的集成光电研究中心。该中心的使命是加速光互连输入/输出（I/O）技术在性能扩展和集成方面的创新，专注于光电子技术和器件、CMOS电路和链路架构，以及封装集成和光纤耦合。
【下游终端】
IEDM 2021：三星携IBM介绍VTFET半导体芯片研究新突破
在今年于加州旧金山举办的第 67 届国际电子器件会议（IEDM 2021）上，三星与 IBM 在“3D at the Device Level”讨论环节宣布，其已携手在下一代半导体芯片的设计技术上取得了重大突破。据悉，这项突破性的 VTFET 新技术，允许晶体管在垂直方向上堆叠。不仅有助于缩小半导体芯片的尺寸，还能够使之变得更加强大和高效。
华灿光电发布公告称，公司拟与关联方珠海华发实体产业研究院有限公司（以下简称“华实产研”）共同出资设立珠海华发华灿先进半导体研究院有限公司（以下简称“先进半导体研究院”）。目前，这一计划进一步得到落实。
2021年12月13日 全球领先的科技公司默克日前宣布与硅谷企业级大数据平台系统构建商Palantir Technologies Inc.达成一项新的合作关系并成立合资企业，双方将携手为全球半导体制造行业打造安全数据协作分析平台 -- “Athinia”。Athinia平台将通过人工智能和大数据分析来助力应对当前全球半导体行业面临的一系列关键挑战，包括半导体芯片短缺、产品质量、供应链透明度等。
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