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一种大功率可控硅封装结构及其制造方法

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产  品:
阴极铜
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摘  要:
本发明公开了一种大功率可控硅封装结构,它包括金属散热底板和底面焊接在金属散热底板上端的陶瓷覆铜板,陶瓷覆铜板底面为大面积的覆铜层,陶瓷覆铜板顶面为被分割成阳极焊接区、阴极焊接区、门极焊接区的覆铜层,陶瓷覆铜板顶面覆铜层的上端从下至上依次焊接有可控硅芯片和阳极过桥片,陶瓷覆铜板四周还设有塑料套壳,可控硅芯片的阴极电极和门极电极共面倒装分别焊接在陶瓷覆铜板顶面被分割开的阴极焊接区和门极焊接区上。本发明还公开了一种大功率可控硅封装结构的制造方法。采用可控硅芯片的阴极电极和门极电极共面倒装焊接在陶瓷覆铜板顶面被分割的覆铜层上的方法,极大的提高了散热效果;同时,省去了控制极过桥装配焊接的过程,使大批量、高效率生产能更好的实现。
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