国产氮化镓商业化 氮化镓充电器比传统充电器小40％

氮化镓是高端大气上档次的半导体材料，被誉为第三代半导体材料。

半导体材料发展至今已历三代：第一代半导体材料以锗和硅为代表，被广泛运用于集成电路制造领域，比如现在大家电脑和手机中的CPU和GPU就是采用硅材料制造的，美国硅谷也因“硅”而得名。

第二代半导体材料以砷化镓、磷化铟为代表，主要应用于以光发射器件为基础的光显示、光通信和光存储等光电子系统，比如一些射频芯片就采用砷化镓材料。不过，随着SOI工艺的发展，一些厂商在射频芯片材料选择上放弃了砷化镓材料，选择了SOI工艺。

第三代半导体材料则以氮化镓、金刚石、碳化硅等为代表，氮化镓化学性质非常稳定，具有有宽的带隙、强的原子键、高的热导率、耐腐蚀等优点，熔点高达1700摄氏度，击穿电压高，抗辐射能力强。

过去，中国也能制造氮化镓材料的电子器件，但大多数用于特殊领域，比如某新锐战机的有源相控阵雷达的微博晶体管就采用了氮化镓材料，使其具备很强的性能的同时，还具备较小的体积。

此外，很多国防军工和大型基础设施工程中，氮化镓都有用武之地。

想必正是因此，美国对于氮化镓高度重视，美国空军研究实验室和国防部长办公室授予美国某公司1490万美元的合同，以进一步加强其生产基于氮化镓（GaN）半导体的工艺，将氮化镓嵌入国防系统中，为士兵提供更强的传感、通信和电子战能力。欧盟、日、韩等诸多科技公司纷纷致力于氮化镓功率器件和LED灯泡的研发和生产。

此前，中资收购飞利浦麾下的灯泡业务和收购德国爱思强公司都被奥巴马动用总统特权否决，原因之一就是中资收购的这两项业务都与氮化镓有关。特别是爱思强的MOCVD设备，是可以用于氮化镓制造的一项设备。

日前，国内某公司开始尝试氮化镓技术的民用化，主攻方向是快速充电。该公司才有IDM模式，也就是自己完成设计、制造和销售全过程。在采用了氮化镓材料之后，可以使手机充电器的体积更小，充电效率更高。

根据公开的对比，功率达到27W内置氮化镓充电器与功率为30W的传统充电器相比，体积可以缩小40%。

不过，唯一的问题就是价格了，根据过去的经验，采用氮化镓器件的产品价格会很高，某公司做过一款采用氮化镓器件的电源，虽然性能不错，但价格是传统电影的5—6倍。高昂的价格有可能成为氮化镓商业化的最大阻碍。

万是开头难，期待氮化镓这项高端大气上档次的材料，能够被白菜化。