4月9日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“芯片堆叠结构及其制作方法”，公开号CN117854550A，申请日期为2022年9月。专利摘要显示，本公开提供了一种芯片堆叠结构及其制作方法，芯片堆叠结构包括：第一半导体芯片、第二半导体芯片、连接第一半导体芯片和第二半导体芯片的信号传输结构以及设置在第一半导体芯片上的第一控制电路和第一选择电路；信号传输结构包括第一传输结构和第二传输结构；第一控制电路包括第一编程器件，第一编程器件被配置为存储第一传输结构的状态信息，第一控制电路与第一选择电路的控制端耦接；第一选择电路的两个输出端分别与第一传输结构和第二传输结构耦接，第一选择电路被配置为根据第一编程器件存储的状态信息，将信号传输至第一传输结构和第二传输结构之一。使得芯片堆叠结构上电瞬间即可读取第一传输结构的状态信息，缩短信息传递路径。
长鑫存储：公司已申请芯片堆叠结构及其制作方法专利，可以缩短信息传递路径
时间：2024-04-09 11:23:32
来源：CBC金属网
内容描述：4月9日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“芯片堆叠结构及其制作方法”，公开号CN117854550A，申请日期为2022年9月。专利摘要显示，本公开提供了一种芯片堆叠结构及其制作方法，芯片堆叠结构包括：第一半导体芯片、第二半导体芯片、连接第一半导体芯片和第二半导体芯片的信号传输结构以及设置在第一半导体芯片上的第一控制电路和第一选择电路。
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