4月9日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“沟槽电容器封装结构及其制备方法、半导体结构”，公开号CN117855197A，申请日期为2022年9月。专利摘要显示，本公开涉及一种沟槽电容器封装结构及其制备方法、半导体结构。沟槽电容器封装结构包括：衬底、沟槽电容器及转接结构。衬底具有沟槽。沟槽电容器位于衬底一侧且填充沟槽。沟槽电容器包括：层叠设置的多层电极层及位于任相邻两层电极层之间的介电层；其中，衬底至顶层介电层中的任一层结构构成目标层；位于目标层背离衬底一侧的电极层及介电层的顶表面与目标层的顶表面位于同一平面；位于目标层背离衬底一侧的电极层的顶表面构成裸露电极。转接结构设置于沟槽电容器背离衬底的一侧，并至少与裸露电极对应连接。本公开可以减少沟槽电容器转接封装时的光罩数量，以降低生产成本，并提高生产效率。
长鑫存储：公司已申请沟槽电容器封装结构及其制备方法、半导体结构专利
时间：2024-04-09 10:50:09
来源：CBC金属网
内容描述：4月9日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“沟槽电容器封装结构及其制备方法、半导体结构”，公开号CN117855197A，申请日期为2022年9月。专利摘要显示，本公开涉及一种沟槽电容器封装结构及其制备方法、半导体结构。沟槽电容器封装结构包括：衬底、沟槽电容器及转接结构。衬底具有沟槽。沟槽电容器位于衬底一侧且填充沟槽。
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