4月1日,中科院微电子所的高频高压中心传来喜讯,刘新宇研究员团队携手天津中科晶禾公司等单位,在厚膜氮化镓(GaN)与多晶金刚石直接键合技术领域取得了显著进展。该研究不仅攻克了多晶金刚石表面形貌的难题,更在室温下实现了与厚膜GaN的高效直接键合,为晶圆级多晶金刚石键合技术的开发和应用开辟了新的道路。
据悉,研究团队采用了先进的动态等离子体抛光(DPP)技术,将多晶金刚石表面的凸起尖峰高度显著降低到1.2nm,同时获得了表面粗糙度仅为0.29nm的光滑表面。在此基础上,结合表面活化键合方法,团队成功在室温下将约370μm的GaN与约660μm的多晶金刚石衬底实现直接键合,键合率高达约92.4%,且该结构能在-55℃至250℃的宽温度范围内稳定工作。