4月8日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“三维半导体存储器件”，授权公告号CN111326498B，申请日期为2019年12月。专利摘要显示，本公开提供了三维半导体存储器件。一种三维半导体存储器件可以包括：基板，包括单元阵列区和焊盘区；第一导电线，在基板的单元阵列区和焊盘区上；第二导电线，在第一导电线和基板之间，第二导电线包括在单元阵列区上的第一部分以及在焊盘区上并在平面图中被第一导电线暴露的第二部分；第一边缘图案，在基板和第一导电线之间并在第二导电线的第一部分和第二部分之间；以及第一单元接触插塞，在基板的焊盘区上，穿透第一导电线和第一边缘图案。
三星：公司取得三维半导体存储器件专利
时间：2024-04-08 10:35:19
来源：CBC金属网
内容描述：4月8日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“三维半导体存储器件”，授权公告号CN111326498B，申请日期为2019年12月。专利摘要显示，本公开提供了三维半导体存储器件。一种三维半导体存储器件可以包括：基板，包括单元阵列区和焊盘区；第一导电线，在基板的单元阵列区和焊盘区上。
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