2024年3月22日消息，据国家知识产权局公告，浙江海纳半导体股份有限公司申请一项名为“一种用于硅片背损伤砂浆中的金属净化方法”，公开号CN117735556A，申请日期为2023年11月。专利摘要显示，本发明涉及半导体单晶硅片衬底制造技术领域，具体地说，涉及一种用于硅片背损伤砂浆中的金属净化方法。包括：沉降：将废砂浆进行沉降使其固‑液相分离；二次溶解：沉降得到的固相用稀酸溶液进行第二次溶解；二次沉降：对二次溶解后的溶液进行第二次沉降使其固‑液相分离；三次溶解：二次沉降得到的固相再用去离子水进行第三次溶解；三次沉降：对三次溶解后的溶液进行第三次沉降使其固‑液相分离；粉化：三次沉降得到的固相通过干燥和研磨再次粉化。本发明设计的方法操作简便、设计合理，可以有效地去除循环使用砂浆中的各种重金属，有效避免喷砂工艺对硅片的金属沾污，极大地降低了喷砂工序的生产成本。
海纳股份：公司申请一种用于硅片背损伤砂浆中的金属净化方法专利
时间：2024-03-25 10:40:46
来源：CBC金属网
内容描述：2024年3月22日消息，据国家知识产权局公告，浙江海纳半导体股份有限公司申请一项名为“一种用于硅片背损伤砂浆中的金属净化方法”，公开号CN117735556A，申请日期为2023年11月。专利摘要显示，本发明涉及半导体单晶硅片衬底制造技术领域，具体地说，涉及一种用于硅片背损伤砂浆中的金属净化方法。包括：沉降：将废砂浆进行沉降使其固‑液相分离；二次溶解：沉降得到的固相用稀酸溶液进行第二次溶解。
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