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韩媒:芯片巨头计划升级在华工厂

时间:2024-01-15 09:25:13 来源:CBC金属网

内容描述:据韩媒报道,韩国芯片巨头SK海力士准备打破美国对华极紫外(EUV)光刻机出口相关限制,对其中国半导体工厂进行技术提升改造。这被外界解读为,随着半导体市场的复苏以及中国高性能半导体制造能力提升,一些韩国芯片企业准备采取一切可以使用的方法来提高在华工厂制造工艺水平。

据韩媒报道,韩国芯片巨头SK海力士准备打破美国对华极紫外(EUV)光刻机出口相关限制,对其中国半导体工厂进行技术提升改造。这被外界解读为,随着半导体市场的复苏以及中国高性能半导体制造能力提升,一些韩国芯片企业准备采取一切可以使用的方法来提高在华工厂制造工艺水平。

韩国《首尔经济》13日的报道援引韩国业内人士的话称,SK海力士计划今年将其中国无锡工厂的部分动态随机存取存储器(DRAM)生产设备提升至第四代10纳米工艺。对于“无锡工厂将技术升级”的消息,SK海力士方面表示“无法确认工厂的具体运营计划”。无锡工厂是SK海力士的核心生产基地,产量约占其DRAM总产量的40%。目前,无锡工厂正在生产两款较旧的10纳米DRAM。报道认为,SK海力士对无锡工厂进行技术升级并不容易,因为美国为阻止中国半导体产业崛起,从2019年开始单方面限制制造尖端半导体必需的EUV光刻机出口中国。

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