近年来,氧化锌薄膜因其低成本、低光敏性、无环境问题、特别是高迁移率而被研究作为薄膜晶体管中的有源层来代替非晶硅。此外,氧化锌的低温制造使得在塑料薄膜上制造成为可能。氧化锌半导体由于在低沉积温度下具有高电子迁移率,非常适用于柔性显示和有机发光二极管器件,作为一种新的半导体层取代了薄膜晶体管中使用的非晶硅半导体,在表征方面取得了重大进展。氧化锌的湿法图形化是大规模生产氧化锌薄膜晶体管器件的另一个重要问题。
氧化锌的湿法图形化是生产氧化锌薄膜晶体管器件的一个重要问题
内容描述:近年来,氧化锌薄膜因其低成本、低光敏性、无环境问题、特别是高迁移率而被研究作为薄膜晶体管中的有源层来代替非晶硅。此外,氧化锌的低温制造使得在塑料薄膜上制造成为可能。氧化锌半导体由于在低沉积温度下具有高电子迁移率,非常适用于柔性显示和有机发光二极管器件,作为一种新的半导体层取代了薄膜晶体管中使用的非晶硅半导体,在表征方面取得了重大进展。
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