据CBC金属网讯:近日,山西省商务厅发文指出,第三代半导体SiC实验室项目方负责人修雷明与阳城开发区初步达成了意向性合作协议。据悉,该项目总投资175亿元,占地300亩。启动资金8000万元,建设实验室、测试中心、长晶房、办公区等约2000平方米,形成月产5000片碳化硅功率芯片制造能力。项目核心团队是由著名半导体技术专家组成,掌握250多个专利,覆盖原材料制造、芯片制造、IC设计、SiP封装等领域,处于全球领先技术水平。
第三代半导体SiC实验室项目或将落地山西 总投资175亿元
内容描述:近日,山西省商务厅发文指出,第三代半导体SiC实验室项目方负责人修雷明与阳城开发区初步达成了意向性合作协议。
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