超低暗电流高性能近红外硅基光电探测器研究获进展
内容描述:近年来,硅基肖特基二极管基于独特的内光电发射机制备受关注,它能在室温下探测到能量低于硅带隙的光,且材料结构和制造工艺简单廉价,有可能满足纯硅近红外光电探测器的需要。然而传统的金属-硅结构探测器存在响应低的缺陷,用透明导电玻璃(ITO)代替传统金属可以有效改善器件响应度,但也面临暗电流过大的问题,严重影响探测器的灵敏度。如何保证探测器对所需波长有响应并且有足够的响应,同时进一步降低器件暗电流提升其灵敏度
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