多晶硅太阳能电池的技术制作
内容描述:对于Mc—Si,因存在较高的晶界、点缺陷对材料表面和体内缺陷的钝化尤为重要,除前面提到的吸杂技术外,钝化工艺有多种方法,通过热氧化使硅悬挂键饱和是一种比较常用的方法,可使Si-SiO2界面的复合速度大大下降,其钝化效果取决于发射区的表面浓度、界面态密度和电子、空穴的浮获截面。在氢气氛中退火可使钝化效果更加明显。采用PECVD淀积氮化硅正面十分有效,因为在成膜的过程中具有加氢的效果。
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